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1989年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
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51.
52.
本文介绍了作者设计,调试的2.5Gbit/s光发送模块的工作原理、关键技术、典型性能参数,该模块通过控制激光器温度来稳定其中心波长,为波分复用系统的应用提供了具备稳定中心波长特性的光源。 相似文献
53.
对于DSP芯片的控制程序的开发,采用C语言和汇编语言混合编程具有较高的效率。该文阐述了两种语言的接口方式和接口协议,并给出了采用这种接口技术实现混合编程在DSP芯片TM320C24x中的几种典型应用实例。 相似文献
54.
介绍了遥感地质这一新兴学科为新建矿井寻找供水水源的方法,并通过航空、航天遥感解译,为珲春矿务局第二水源提供了古河床资料,为大雁矿务局三矿确定了希罗沟、胜利沟水源地。 相似文献
55.
56.
介绍了TI公司的MSP430单片机和DVSI公司的AMBE-2000TM声码器芯片的基本原理及其实际应用;并结合PCM芯片AD73311实现了一套全双工的语音系统。由单片机控制的全双工声码器可以进行语音数据压缩和解压,并且能在低数据速率下提供优良的语音质量,因此在卫星通信、移动通信或是保密通信中拥有广泛的应用。 相似文献
57.
报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)量子阱为有源区的1.31μmTM偏振高速激光器。以1%张应变的In_(0.49)Ga_(0.51)As_(0.79)P_(0.21)作为阱层,0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层,计算了由不同势垒带隙(1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 eV)构成的五种多量子阱的发光特性,和由其构成的激光器的器件特性。数值模拟分析表明,采用适度小的势垒带隙,既能将载流子有效限制在有源区,又可以得到载流子在量子阱间的均匀分布,从而改善量子阱的发光特性和激光器的性能参数。该仿真对研制低阈值电流、高特征温度和大调制带宽的InGaAsP/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器具有指导意义。 相似文献
58.
This study has proposed and numerically demonstrated a compact terahertz wave polarization beam splitter. The splitter is built by using a asymmetrical directional coupler consisting of a bend waveguide and a slot bend waveguides and achieves a high extinction ratio of 24.88 dB and 16.55 dB for cross and through ports. The optimal coupling region length is found to be 26 μm. By using such a polarization beam splitter, the size of the terahertz wave system could be reduced significantly. The simulation results show that the designed polarization beam splitter can split TEand TM-polarized terahertz wave into different propagation directions with high efficiency over the terahertz wave frequency range from 9.40 THz to 9.65 THz. The device obtained is readily used for a polarization diversity terahertz wave integrated circuit field, particularly for platforms with slot waveguide. 相似文献
59.
道路养护技术可分为修补性养护和预防性养护两种。着重介绍一种新型的沥青路面预防性养护的好方法———表面涂涮沥再生RejuvaSealTM,并以工程实例对涂涮前后沥青路面三大指标进行了对比、分析。 相似文献
60.
C.B Samantaray 《Microelectronics Journal》2004,35(8):655-658
The energy band gaps and total density of states of different transitional metal (Sc, Zr) silicates have been studied using density functional theory and local density approximation. The problem of a decreasing band gap in Zr silicate predicts the band offset reduction from the introduction of 4d state below the conduction band edge. While, in case of Sc silicate, there is no such decrease in the band gap and it becomes more suitable for the device performances. 相似文献